YARİM O’TKAZGİCHLİ ASBOBLARNİNG İSH JARAYONLARİ
Keywords:
Kalit so’zlar: Yarim o’tkazgich, p-n o’tish, legirlash, zaryad tushuvchilar, potensial to’siq, to’g’ri va teskari ulanish, diod, elektron oqim, teshiklar oqimi, rekombinatsiya, avvalgi qatlam (depletion region), Ключевые слова:Полупроводникб, п-н переход, легирование, носители заряда, потенсиалыный бареър, прямое и обратное включение, диод, транзистор, электронный ток, дырочный ток, рекомбинация, обедненный слой., Keywords: Semiconductor, p–n junction, doping, charge carriers, potential barrier, forward and reverse bias, diode, electron flow, hole flow, recombination, depletion region.Abstract
Annotatsiya:Ushbu ishda ayrim o’tkazgichli asboblarning fizik asoslari, ularning ishlash tamoyillari va amaliy qo’llanilish jarayonlari yoriritilgan p-n o’tishining hosil bo’lishi, diod va tranzistorlarda tokning otishi, kuchlanish tasirida yuz beradigan jarayonlar hamda ushbu asboblarning elektronika sohasidagi asosiy vazifalari yoritilgan. Material yarim o’tkazgichli qurilmalarning ish tamoyillarini tushunishni osonlashtiradi.
Аннотация:В данной работе рассмотрены физические основы некоторых полупроводниковых приборов, принципы их работы и процессы практического применения. Освещены процессы формирования p–n-перехода, протекание тока в диодах и транзисторах, явления, возникающие под действием напряжения, а также основные функции этих приборов в области электроники. Представленный материал облегчает понимание принципов работы полупроводниковых устройств.
Abstract:This work discusses the physical foundations of certain semiconductor devices, their operating principles, and processes of practical application. The formation of the p–n junction, current flow in diodes and transistors, phenomena occurring under the influence of voltage, as well as the main functions of these devices in the field of electronics are described. The material facilitates a better understanding of the operating principles of semiconductor devices.
