ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИИ ВЩЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ а-SI:H .
Keywords:
Калит сўзлар: a-Si:H, видикон нишони, фотоВАХ, ТОПЗ механизми, фототок, яримўтказгич, локал ҳолатлар, заряд тутқичлар, фотосезгир қатлам, ҳароратга боғлиқлик., Ключевые слова: a-Si:H, мишень видикона, фотоВАХ, механизм ТОПЗ, фототок, полупроводник, локальные состояния, ловушки заряда, фоточувствительный слой, температурная зависимость., Keywords: a-Si:H, vidicon target, photo I–V characteristics, SCLC mechanism, photocurrent, semiconductor, localized states, charge traps, photosensitive layer, temperature dependence.Abstract
Аннотация: Ушбу мақолада a-Si:H асосидаги видикон нишонининг фото-ВАХ хусусиятлари ТОПЗ (тутқичлар билан чекланган заряд оқими) механизми доирасида назарий ва экспериментал жиҳатдан таҳлил қилинди. Фототок ва кучланиш орасидаги боғланиш ифодалари асосида турли ҳароратларда ўлчанган фотоВАХ натижалари ўрганилди. Таҳлил натижасида i-қатламдаги локал ҳолатлар ва тутқичлар тақсимоти, шунингдек, Ферми квазисатҳининг силжиши аниқланди. Ҳароратга боғлиқ ўзгаришлар асосида валент зона яқинида (~0,3–0,35 эВ) жойлашган ҳолатлар зичлиги максимуми мавжудлиги кўрсатилди. Олинган натижалар a-Si:H материалининг энергетик тузилишини чуқурроқ тушунишга ва фотоқабул қилгич қурилмаларини такомиллаштиришга ҳизмат қилади.
Аннотация: В данной статье теоретически и экспериментально исследованы фото-вольт-амперные характеристики мишени видикона на основе a-Si:H в рамках механизма ТОПЗ (ток, ограниченный пространственным зарядом). На основе соотношений между фототоком и напряжением изучены экспериментальные фотоВАХ, измеренные при различных температурах. В результате анализа установлены распределение локальных состояний и ловушек в i-слое, а также смещение квазиуровня Ферми. Показано наличие максимума плотности состояний вблизи валентной зоны (~0,3–0,35 эВ) на основе температурной зависимости. Полученные результаты способствуют более глубокому пониманию энергетической структуры a-Si:H и совершенствованию фотоприемных устройств.
Abstract: In this article, the photo current–voltage characteristics of a vidicon target based on a-Si:H are theoretically and experimentally investigated within the framework of the SCLC (space-charge-limited current) mechanism. Based on the relationship between photocurrent and voltage, experimental photo I–V characteristics measured at different temperatures were analyzed. The study reveals the distribution of localized states and traps in the i-layer, as well as the shift of the quasi-Fermi level. A maximum in the density of states near the valence band (~0.3–0.35 eV) is identified based on temperature dependence. The obtained results contribute to a deeper understanding of the electronic structure of a-Si:H and the improvement of photodetector devices.
