МЕХАНИЗМ ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
Keywords:
Ключевые слова: компенсированный кремний, тензочувствительность, автоколебания тока, глубокие уровни, деформация зон, датчики давления, частотный выход.Abstract
Статья посвящена теоретическому анализу и моделированию микроскопических механизмов тензочувствительности автоколебательных полупроводниковых структур на основе кремния, компенсированного примесями с глубокими энергетическими уровнями. Рассмотрены процессы перераспределения свободных носителей заряда между деформационно-расщепленными подзонами проводимости (долинами) и флуктуации кинетики захвата электронов и дырок глубокими центрами при одноосном сжатии. На основе уравнений непрерывности и кинетики рекомбинации построена качественная физическая модель, описывающая модуляцию частоты и амплитуды автоколебаний под действием механического напряжения. Проведена оценка коэффициента тензочувствительности предложенной системы. Обоснована перспективность использования данных автоколебательных структур в качестве чувствительных элементов для датчиков давления нового поколения с прямым частотным выходом.
