MARGANES OLIY SILITSID – KREMNIY O‘TISH CHEGARASIDA HOSIL BO‘LGAN TERMOELEKTRIK KUCHLANISHGA HARORATNING TA’SIRI - Q.Q.Qurbonaliyev (Ta’lim innovatsiyasi va integratsiyasi, 2026)
Zamonaviy elektron qurilmalar (o‘ta katta integral sxemalar va mikroprotssesorlar) ishlaganda nisbatan katta miqdorda issiqlik ajralib chiqadi va bu issiqlikdan yarimo‘tkazgich asboblarni doimo sovitib turish talab etiladi. Shu sababli ajralib chiqadigan issiqlikning fizik mohiyatini bilish va uni bartaraf etish talab etiladi. Buday yarimo‘tkazgich qurilmalarni sovitishda marganes oliy silitsid – kremniy asosida yaratilgan strukturalardan foydalanish mumkin. Bunday strukturalarda Joul issiqligi ajrab chiqishidan tashqari Pelte issiqligi ham ajrab chiqadi. Adabiyotlardan ma’lumki, kontakt qarshiligining fizik tabiati o‘tish qatlamiga hamda kantaktni geometrik yuzasining o‘lchamlarini turli xil bo‘lishiga bog‘liq bo‘ladi [1].