ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СВОЙСТВА СЛАБОЛЕГИРОВАННОГО СЛОЕВ И ТРАНЗИСТОРНЫХ n + - p 0 – n 0 СТРУКТУР - Ж.З.Мирзарайимов; И.Х.Сайдоқулов (Ta’lim innovatsiyasi va integratsiyasi, 2025)
Аннотация: В данной работе проведено исследование особенностей получения высоковольтных арсенид-галлиевых р 0 -n 0 переходов методом жидкостной эпитаксии. Определены режимы эпитаксиального выращивания, обеспечивающие получение высоковольтных р-n переходов на основе слаболегированного GaAs для создание субнано- и пикосекундных полупроводниковых коммутаторов. Изучено влияние технологических факторов на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев. Установлено, что с увеличением темпе-ратуры начала кристаллизации и величины ростового зазора увеличиваются толщины низкоомной части p 0 - области и пробивные напряжения n + -p 0 -n 0 структур, а величины коэффициента передачи уменьшаются. Изучено влияние основных технологических факторов на статические и динамические характеристики созданных приборов. Установлено, что изменение толщины раствора-расплава от 1 мм до 3 мм, либо температуры начала кристаллизации от 850 ⁰С до 950 ⁰С приводит к уменьшению значения коэффициента передачи n + -p 0 -n 0 структур, увеличению напряжения включения, тока управления, увеличению значения напряжения начала аномально быстрого нарастания с 50 В до 400 В. Наблюдается одновременное увеличение длительности нарастания тока, снижение стабильности момента переключения, рост значений остаточного напряжения.