MARGANES OLIY SILITSID – KREMNIY O‘TISH CHEGARASIDA HOSIL BO‘LGAN TERMOELEKTRIK KUCHLANISHGA HARORATNING TA’SIRI - Q.Q.Qurbonaliyev, (Ta'lim innovatsiyasi va integratsiyasi, 2026)
Zamonaviy  elektron  qurilmalar  (o‘ta  katta  integral  sxemalar  va mikroprotssesorlar) ishlaganda nisbatan katta miqdorda issiqlik ajralib chiqadi va bu issiqlikdan yarimo‘tkazgich asboblarni doimo sovitib turish talab etiladi. Shu sababli ajralib chiqadigan issiqlikning fizik mohiyatini bilish va uni bartaraf etish talab etiladi. Buday  yarimo‘tkazgich  qurilmalarni  sovitishda  marganes  oliy  silitsid  –  kremniy asosida  yaratilgan  strukturalardan  foydalanish  mumkin.  Bunday  strukturalarda  Joul issiqligi ajrab chiqishidan tashqari Pelte issiqligi ham ajrab chiqadi. Adabiyotlardan ma’lumki,  kontakt  qarshiligining  fizik  tabiati  o‘tish  qatlamiga  hamda  kantaktni geometrik yuzasining o‘lchamlarini turli xil bo‘lishiga bog‘liq bo‘ladi [1].