ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СВОЙСТВА СЛАБОЛЕГИРОВАННОГО СЛОЕВ И ТРАНЗИСТОРНЫХ n + - p 0 – n 0 СТРУКТУР - Ж.З.Мирзарайимов,; И.Х.Сайдоқулов, (Ta'lim innovatsiyasi va integratsiyasi, 2025)
Аннотация:  В  данной  работе  проведено  исследование  особенностей получения  высоковольтных  арсенид-галлиевых  р 0 -n 0   переходов  методом жидкостной эпитаксии. Определены  режимы  эпитаксиального  выращивания,  обеспечивающие получение высоковольтных р-n переходов на основе слаболегированного GaAs для создание субнано- и пикосекундных полупроводниковых коммутаторов.  Изучено  влияние  технологических  факторов  на  электрофизические свойства эпитаксиальных слоев. Установлено, что с увеличением темпе-ратуры начала кристаллизации и величины ростового зазора увеличиваются толщины низкоомной  части  p 0 -  области  и  пробивные  напряжения  n + -p 0 -n 0   структур,  а величины коэффициента передачи уменьшаются.   Изучено влияние основных технологических факторов на статические и динамические  характеристики  созданных  приборов.  Установлено,  что изменение  толщины  раствора-расплава  от  1  мм  до  3  мм,  либо  температуры начала кристаллизации от 850 ⁰С до 950 ⁰С приводит к уменьшению значения коэффициента передачи n + -p 0 -n 0  структур, увеличению напряжения включения, тока управления, увеличению значения напряжения начала аномально быстрого нарастания  с  50  В  до  400  В.  Наблюдается  одновременное  увеличение длительности нарастания тока, снижение стабильности момента переключения, рост значений остаточного напряжения.