MARGANES OLIY SILITSIDI – KREMNIY O‘TISH CHEGARASIDAGI KONTAKT QARSHILIGINI HISOBLASH
Abstract
Marganes oliy silitsidi – yarimo‘tkazgich kremniy tizimining o‘tish
chegarasidagi omik kontakt elektr toki yoki kuchlanishni yarimo‘tkazgich kremniyga
uzatishga xizmat qiladi. Omik kontaktga qo‘yilgan asosiy talab, tok va kuchlanishning
ishlash qiymatlari oralig‘ida sezilarli qo‘shimcha qarshilik hosil qilmasligi kerak. Bu
holatda, kontakt qarshiligining qiymati juda kichik va uning volt-amper tavsifi chiziqli
bo‘lib, Om qonuniyati chiziqli bo‘lishini talab etadi. Bunday mukammal omik kontakt
olish amaliyotda juda qiyin hisoblanadi. Shu sababli yarimo‘tkazgich asboblarda
olingan omik kontaktlar sof (ideal) omik kontaktga yaqin bo‘ladi.
Yarimo‘tkazgich materiallarning sirt sathlaridagi tokini hisobga olmagan xolda
omik kontaktga qo‘yilgan talablarni nazariy hisoblaymiz[1].
References
Foydalanilgan adabiyotlar
1. Zikrillaev N.F., Khusanov A.J., Kurbonaliev K.K. Properties of “Higher
Manganese Silicide-Silicon” Heterostructure // East European Journal of
Physics. 2023. Vol.3. pp. 291-295. (№3, Scopus. IF: 0.8, Q4;
https://www.scopus.com/sourceid/21101018929).
2. Зикриллаев Н.Ф., Турсунов О.Б., Шоабдурахимова М.М.,Курбоналиев
К.К. Фотоэлектрические свойства варизонных структур на основе
кремния с нанокластерами примесных атомов Zn и Se // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2020. том 2. вып. 2. С. 15-19.
(01.00.00. №16).
