MARGANES OLIY SILITSID – KREMNIY O‘TISH CHEGARASIDA HOSIL BO‘LGAN TERMOELEKTRIK KUCHLANISHGA HARORATNING TA’SIRI
Abstract
Zamonaviy elektron qurilmalar (o‘ta katta integral sxemalar va
mikroprotssesorlar) ishlaganda nisbatan katta miqdorda issiqlik ajralib chiqadi va bu
issiqlikdan yarimo‘tkazgich asboblarni doimo sovitib turish talab etiladi. Shu sababli
ajralib chiqadigan issiqlikning fizik mohiyatini bilish va uni bartaraf etish talab etiladi.
Buday yarimo‘tkazgich qurilmalarni sovitishda marganes oliy silitsid – kremniy
asosida yaratilgan strukturalardan foydalanish mumkin. Bunday strukturalarda Joul
issiqligi ajrab chiqishidan tashqari Pelte issiqligi ham ajrab chiqadi. Adabiyotlardan
ma’lumki, kontakt qarshiligining fizik tabiati o‘tish qatlamiga hamda kantaktni
geometrik yuzasining o‘lchamlarini turli xil bo‘lishiga bog‘liq bo‘ladi [1].