ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СВОЙСТВА СЛАБОЛЕГИРОВАННОГО СЛОЕВ И ТРАНЗИСТОРНЫХ n + - p 0 – n 0 СТРУКТУР
Keywords:
Ключевые слова: Жидкофазная эпитаксия, слаболегированный GaAs, р 0 - n 0 переходи, начала кристаллизации, пробивные напряжения, коэффициент передачиAbstract
Аннотация: В данной работе проведено исследование особенностей
получения высоковольтных арсенид-галлиевых р 0 -n 0 переходов методом
жидкостной эпитаксии.
Определены режимы эпитаксиального выращивания, обеспечивающие
получение высоковольтных р-n переходов на основе слаболегированного GaAs
для создание субнано- и пикосекундных полупроводниковых коммутаторов.
Изучено влияние технологических факторов на электрофизические
свойства эпитаксиальных слоев. Установлено, что с увеличением темпе-ратуры
начала кристаллизации и величины ростового зазора увеличиваются толщины
низкоомной части p 0 - области и пробивные напряжения n + -p 0 -n 0 структур, а
величины коэффициента передачи уменьшаются.
Изучено влияние основных технологических факторов на статические и
динамические характеристики созданных приборов. Установлено, что
изменение толщины раствора-расплава от 1 мм до 3 мм, либо температуры
начала кристаллизации от 850 ⁰С до 950 ⁰С приводит к уменьшению значения
коэффициента передачи n + -p 0 -n 0 структур, увеличению напряжения включения,
тока управления, увеличению значения напряжения начала аномально быстрого
нарастания с 50 В до 400 В. Наблюдается одновременное увеличение
длительности нарастания тока, снижение стабильности момента переключения,
рост значений остаточного напряжения.
References
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Степанова М.Н Разработка технологии получения слаболегированного GaAs
и создания на его основе силовых диодов и тиристоров. Дисс. на соис. учёной
степ. канд. физ.- мат. наук. Л., 1981. 218 стр.
2. Никитин В.Г., Рачинская И., Сеель К.Р., Степанова М.Н., Третьяков Д.Н.,
Федеронко Т.П. Особенности формирования р-n переходов в арсенида галлия
и его твёрдых растворах при легировании фоновимы примесями. Тез. Докл.
III Всесоюзной конф. По физич. Проыессам в
полупроводниковых структурах. – Одесса, 1982, т. 3, стр. 103.
3. Алфёров Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры. ФТП. 1977. II, стр.
2072-2083.
4. Steiniger J. Thermodynamics and calculation of the liguidussolidus gap in
homogeneous monotonic alloy systems, - J/ Appl. Phys., 1970, v. 41, № 6, p. 2713.
5. Глазов В.М., Земсков В.С. Физико-химические основы легирования
полупроводников. М., «Наука», 1967.
6. Фольберт О. Обзор некоторых физико-химических свойств с соедине-ний
А 3 В 5 в связи с диаграммами состояния. – В сб. Новые полупроводниковые
материалы. Под. Ред. А.Ф.Нашельского. М. Металлургиздат, 1964, стр. 5.
7. Чистяков Ю.Д. Физико-химическое исследовани6 механизма
ориентированного нарастания металлов и полупроводников. Докт. дисс. М.,
МИСиС, 1967.
8. Андреев В.М., Дольгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в
технологии полупроводниковых приборов.- М., С. Радио., 1976.
9. Золотаревский Л.Я., Киви У.М., Никитин В.Г., Степанова М.Н., Тагасаар
М.А., Тимофеев В.Н., Третьяков Д.Н. Распределение примесей в арсенид
галлиевых структурах большой площади, выращенных методом жидкостной
эпитаксии. Материалы докл. V Всесоюзного координац. совещ. секции
«полупроводник. гетеро-структуры», Таллин, 1979, стр. 66-73.
10. Султанов А.М. Разработка технологии создания и исследование фотонно –
инжекционных коммутаторов на основе гетеро структур GaAs+AlGaAs. Канд.
дисс. на соис. учёной степ. канд. физ. – мат. наук, Санкт-Петербург, 1992.
11. Райцын А.Б. Создание и исследование быстродействующих тиристоров на
основе гетеро структур в системе GaAs-AlAs. Канд. дисс. на соис. учёной степ.
канд. физ.-мат. наук. – Л. 1983.
